@Article{CapoteBonSanCorTra:2006:InInSi,
               author = "Capote, Gil and Bonetti, Lu{\'{\i}}s Francisco and Santos, 
                         L{\'u}cia Vieira and Corat, Evaldo Jos{\'e} and Trava-Airoldi, 
                         Vladimir Jesus",
          affiliation = "Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, Laborat{\'o}rio 
                         Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS) and Instituto 
                         Nacional de Pesquisas Espaciais, Laborat{\'o}rio Associado de 
                         Sensores e Materiais (INPE.LAS) and Instituto Nacional de 
                         Pesquisas Espaciais, Laborat{\'o}rio Associado de Sensores e 
                         Materiais (INPE.LAS) and Instituto Nacional de Pesquisas 
                         Espaciais, Laborat{\'o}rio Associado de Sensores e Materiais 
                         (INPE.LAS) and Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais, 
                         Laborat{\'o}rio Associado de Sensores e Materiais (INPE.LAS)",
                title = "Influ{\^e}ncia da intercamada de sil{\'{\i}}cio amorfo na 
                         tens{\~a}o total e na ader{\^e}ncia de filmes de DLC em 
                         substratos de Ti6AI4V",
              journal = "Revista Brasileira de Aplica{\c{c}}{\~o}es de V{\'a}cuo",
                 year = "2006",
               volume = "25",
               number = "1",
                pages = "5--10",
             keywords = "DLC, PECVD, ader{\^e}ncia.",
             abstract = "Neste trabalho, estudou-se a influ{\^e}ncia da 
                         utiliza{\c{c}}{\~a}o de uma intercamada fina de sil{\'{\i}}cio 
                         amorfo na tens{\~a}o total e na ader{\^e}ncia de filmes de DLC 
                         depositados em substratos de Ti6Al4V pela t{\'e}cnica de 
                         rf-PECVD. Na caracteriza{\c{c}}{\~a}o da intercamada de 
                         sil{\'{\i}}cio e das interfaces foi utilizada a t{\'e}cni-ca de 
                         XPS. A microestrutura dos filmes de DLC foi estuda-da utilizando a 
                         espectroscopia de espalhamento Raman. A tens{\~a}o total dos 
                         filmes foi determinada a partir da deflex{\~a}o do substrato 
                         usando a perfilometria e a dureza atrav{\'e}s de um 
                         microdur{\^o}metro. A ader{\^e}ncia dos filmes foi avaliada 
                         usando-se a t{\'e}cnica de riscamento. Os resultados obtidos 
                         demonstraram que a utiliza{\c{c}}{\~a}o da intercamada de 
                         sil{\'{\i}}cio amorfo permite a deposi{\c{c}}{\~a}o de filmes 
                         de DLC em substratos de Ti6Al4V com boa ader{\^e}ncia, baixa 
                         tens{\~a}o compressiva e elevada dureza. Observou-se a 
                         presen{\c{c}}a de SiC na interface entre o sil{\'{\i}}cio e o 
                         filme de DLC. A caracteriza{\c{c}}{\~a}o dos filmes de DLC 
                         mostrou que existe uma forte depend{\^e}ncia da mi-croestrutura e 
                         das propriedades mec{\^a}nicas destes filmes com a energia dos 
                         {\'{\i}}ons. ABSTRACT: Thin amorphous silicon interlayer 
                         influence on the total stress and on the DLC film adhesion 
                         deposited onto Ti6Al4V substrates by rf-PECVD was studied. The 
                         silicon interlayer was characterized using the XPS technique. The 
                         film microstructure was probed by means of Raman spec-troscopy. 
                         The total stress was determined through the measurement of 
                         changing of the substrate curvature by per-filometry, while 
                         microindentation experiments provided the film hardness. The 
                         adherence had been evaluated by means of the scratch technique. 
                         The results show that the use of amorphous silicon interlayer 
                         allowed the DLC film deposi-tion onto Ti6Al4V substrates with good 
                         adhesion, low com-pressive stress and high hardness. The SiC was 
                         observed in the interphase between silicon and DLC film. The DLC 
                         film characterization showed that the microstructure and 
                         me-chanical properties of these films depend on the ion 
                         bom-bardment energy.",
                 issn = "0101-7659",
             language = "pt",
           targetfile = "capote_influencia.pdf",
        urlaccessdate = "05 maio 2024"
}